N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.
Вес и габариты
вес, г
1
Основные
category
Power MOSFET
channel mode
Enhancement
channel type
N
dimensions
3 x 1.75 x 1.3mm
height
1.3mm
length
3mm
maximum continuous drain current
230 mA
maximum drain source resistance
9.5 Ω
maximum drain source voltage
250 V
maximum gate source voltage
-40 V, +40 V
maximum gate threshold voltage
1.8V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
1.1 W
minimum operating temperature
-55 °C
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOT-23
pin count
6
transistor configuration
Single
transistor material
Si
typical gate charge @ vgs
2.6 nC @ 10 V
typical input capacitance @ vds
72 pF @ 25 V
typical turn-off delay time
11.4 ns
typical turn-on delay time
1.25 ns
width
1.75mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26