VN10LP, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 60 В, 7.5 Ом, 10 В, 2.5 В
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:VN10LP
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-канальный MOSFET, от 40 до 90 В, Diodes Inc. MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Вес и габариты
вес, г
0.165
Высота
4.01 мм
Информация о производителе
Производитель
DiodesZetex
Основные
число контактов
3
длина
4.77мм
категория
Малый сигнал
количество элементов на ис
1
максимальная рабочая температура
+150 °C
максимальное напряжение сток-исток
60 В
максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности
0.625 W
максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
максимальный непрерывный ток стока
270 мА
материал транзистора
Кремний
maximum gate threshold voltage
2.5V
минимальная рабочая температура
-55 °C
номер канала
Поднятие
размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
типичная входная емкость при vds
60 пФ при 25 В
тип канала
N
тип корпуса
E-Line
тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
transistor configuration
Одинарный
Ширина
2.41 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26