N-канальный MOSFET, от 40 до 90 В, Diodes Inc. MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Вес и габариты
вес, г
0.01
Высота
1 мм
Информация о производителе
Производитель
DiodesZetex
Основные
число контактов
3
длина
3.05
категория
Малый сигнал
количество элементов на ис
1
максимальная рабочая температура
+150 °C
максимальное напряжение сток-исток
60 В
максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности
330 мВт
максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
максимальный непрерывный ток стока
150 mA
материал транзистора
Кремний
maximum gate threshold voltage
2.5V
минимальная рабочая температура
-55 °C
номер канала
Поднятие
размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
типичная входная емкость при vds
60 пФ при 25 В
тип канала
N
тип корпуса
SOT-23
тип монтажа
Surface Mount
transistor configuration
Одинарный
Ширина
1.4 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26