Discrete Semiconductor Products\Transistors - JFETsJFET N-канал 1200 В 33,5 A 254 Вт сквозное отверстие TO-247-3
Основные
moisture sensitivity level (msl)
Not Applicable
mounting type
Through Hole
operating temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-247-3
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
JFET
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
Transistors
размер фабричной упаковки
30
тип продукта
JFETs
торговая марка
UnitedSiC
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-247-3
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
supplier device package
TO-247-3
pd - рассеивание мощности
254 W
Вес и габариты
технология
SiC
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
33.5 A
rds вкл - сопротивление сток-исток
70 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
полярность транзистора
N-Channel
vds - напряжение пробоя затвор-исток
20 V
drain to source voltage (vdss)
1200V
fet type
N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds
985pF @ 100V
power - max
254W
resistance - rds(on)
90 mOhms
voltage - breakdown (v(br)gss)
1200V
current drain (id) - max
33.5A
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26