UJ3N120035K3S

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - JFETsJFET N-Channel 1200V 63A 429W сквозное отверстие TO-247-3
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
6 050
+
Бонус: 121 !
Бонусная программа
Итого: 6 050
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - JFETsJFET N-Channel 1200V 63A 429W сквозное отверстие TO-247-3
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-247-3
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:JFET
максимальная рабочая температура:+175 C
минимальная рабочая температура:-55 C
подкатегория:Transistors
производитель:UnitedSiC
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:30
серия:UJ3N
тип продукта:JFETs
торговая марка:UnitedSiC
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-247-3
Вес и габариты
коммерческое обозначение:Sic JFET
pd - рассеивание мощности:429 W
технология:SiC
конфигурация:Single
drain to source voltage (vdss)1200V
fet typeN-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds2145pF @ 100V
id - непрерывный ток утечки:63 A
rds вкл - сопротивление сток-исток:35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:1200 V
полярность транзистора:N-Channel
vds - напряжение пробоя затвор-исток:20 V
power - max429W
resistance - rds(on)45 mOhms
voltage - breakdown (v(br)gss)1200V
current drain (id) - max63A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль