размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:
30
серия:
UJ3N
тип продукта:
JFETs
торговая марка:
UnitedSiC
упаковка:
Tube
упаковка / блок:
TO-247-3
Вес и габариты
коммерческое обозначение:
Sic JFET
pd - рассеивание мощности:
429 W
технология:
SiC
конфигурация:
Single
drain to source voltage (vdss)
1200V
fet type
N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds
2145pF @ 100V
id - непрерывный ток утечки:
63 A
rds вкл - сопротивление сток-исток:
35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:
1200 V
полярность транзистора:
N-Channel
vds - напряжение пробоя затвор-исток:
20 V
power - max
429W
resistance - rds(on)
45 mOhms
voltage - breakdown (v(br)gss)
1200V
current drain (id) - max
63A
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26