TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, 110Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, 110Вт, TO220AB
Вес и габариты
вес, г1.96
Высота 15.1 мм
Основные
длина10.16 mm
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Вес и габариты
вес, г1.96
Высота 15.1 мм
Основные
длина10.16 mm
id - непрерывный ток утечки105 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеU-MOSVIII-H
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности110 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора46 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток5.4 mOhms
серияTK58E06N1
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
Ширина4.45 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль