TK4A60DA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 35Вт, SC67

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TK4A60DA(STA4,Q,M)
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой привод с затвором 10 В, одноканальные устройства с одним N-каналом, сочетающие технологию МОП-МОП с планарным процессом для обеспечения широкого выбора напряжения и R DS ( ON) рейтинги. Эти высоковольтные полевые МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжения сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном тока стока...
Основные
вес, г1
factory pack quantity: factory pack quantity:50
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой привод с затвором 10 В, одноканальные устройства с одним N-каналом, сочетающие технологию МОП-МОП с планарным процессом для обеспечения широкого выбора напряжения и R DS ( ON) рейтинги. Эти высоковольтные полевые МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжения сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном тока стока от 2 до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусах со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактных корпусах DPAK-3 и PW-Mold-3 для поверхностного монтажа.
Основные
вес, г1
factory pack quantity: factory pack quantity:50
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:TK4A60DA
subcategory:MOSFETs
packaging:Tube
Вес и габариты
package/case:TO-220-3
tradename:MOSVII
pd - power dissipation:35 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:3.5 A
qg - gate charge:11 nC
rds on - drain-source resistance:1.7 Ohms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:600 V
vgs - gate-source voltage:-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:4.4 V
typical turn-off delay time:55 ns
typical turn-on delay time:40 ns
forward transconductance - min:0.6 S
fall time:8 ns
rise time:18 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль