TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, 50Вт, TO220FP

Подробное описание

780 ₽

– +

Бонус: 15.6 !

Бонусная программа

Итого: 780 ₽

Купить

МОП-транзистор N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V

Вес и габариты
вес, г	1.65
Высота	15 мм
Основные
длина	10 mm
id - непрерывный ток утечки	13 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	MOSVII
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	50 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	40 nC
размер фабричной упаковки	2500
rds вкл - сопротивление сток-исток	430 mOhms
серия	TK13A60D
технология	Si
типичное время задержки при включении	100 ns
типичное время задержки выключения	140 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	50 ns
время спада	25 ns
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки