STW70N60DM6-4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 39А, Idm: 220А, 390Вт, TO247-4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STW70N60DM6-4
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600V 62A (Tc) 390W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4
Основные
вес, г2.5
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
2 900
+
Бонус: 58 !
Бонусная программа
Итого: 2 900
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600V 62A (Tc) 390W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4
Основные
вес, г2.5
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-4
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247-4
base product numberSTW70 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:600
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:STW70N60DM2
subcategory:MOSFETs
packaging:Tube
Вес и габариты
package/case:TO-247-4
tradename:MDmesh
pd - power dissipation:390 W
technologyMOSFET (Metal Oxide)
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c62A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs99nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds4360pF @ 100V
power dissipation (max)390W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs42mOhm @ 31A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4.75V @ 250ВµA
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:62 A
qg - gate charge:99 nC
rds on - drain-source resistance:42 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:600 V
vgs - gate-source voltage:-25 V, +25 V
vgs th - gate-source threshold voltage:4.75 V
typical turn-off delay time:100 ns
typical turn-on delay time:27 ns
fall time:11 ns
rise time:15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль