STW36N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STW36N60M6
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600V 30A (Tc) 208W (Tc) сквозное отверстие TO-247
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 280
+
Бонус: 25.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600V 30A (Tc) 208W (Tc) сквозное отверстие TO-247
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
seriesMDmeshв„ў M6 ->
base product numberSTW36 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs44.3nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1960pF @ 100V
power dissipation (max)208W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs99mOhm @ 15A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4.75V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль