Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power МОП-транзисторs in TO-247 package

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube

Все характеристики

830 ₽

– +

Бонус: 16.6 !

Бонусная программа

Итого: 830 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power МОП-транзисторs in TO-247 package

Основные
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка / блок	TO-247-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	STW35N60DM2
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-247
время нарастания	17 ns
время спада	10.7 ns
коммерческое обозначение	MDmesh
series	MDmeshв„ў DM2 ->
pd - рассеивание мощности	210 W
количество каналов	1 Channel
base product number	STW35 ->
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	28 A
qg - заряд затвора	54 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	110 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	68 ns
типичное время задержки при включении	21.2 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	28A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	54nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	2400pF @ 100V
power dissipation (max)	210W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	110mOhm @ 14A, 10V
vgs (max)	В±25V
vgs(th) (max) @ id	5V @ 250ВµA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

BCW66HR, Bipolar Transistors - BJT BCW66H/SOT23/TO-236AB

Быстрый просмотр

IRLIZ34NPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 20А, 31Вт

Быстрый просмотр

STW35N60DM2, Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все