STU1HN60K3, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 600В, 0,76А, 27Вт, IPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STU1HN60K3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK
Основные
вес, г0.41
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK
Основные
вес, г0.41
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTU1HN60K3
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageI-PAK
время нарастания10 ns
время спада31 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
seriesSuperMESH3в„ў ->
pd - рассеивание мощности27 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTU1HN60 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки1.2 A
qg - заряд затвора9.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток6.7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.75 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения23 ns
типичное время задержки при включении7 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.2A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs9.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds140pF @ 50V
power dissipation (max)27W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs8Ohm @ 600mA, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль