STS11NF30L, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ F7, полевой, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STS11NF30L, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ F7, полевой, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8
Вес и габариты
вес, г0.15
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
вес, г0.15
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle Quad Drain Triple Source
eccn (us)ear99
eu rohscompliant
hts8541.29.00.95
lead shapeGull-wing
maximum continuous drain current (a)11
maximum drain source resistance (mohm)10.5@10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±18
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2500
militaryNo
minimum operating temperature (°c)-55
mountingsurface mount
number of elements per chip1
package height1.65(Max)
package length5(Max)
package width4(Max)
packagingTape and Reel
part statusNRND
pcb changed8
pin count8
process technologySTripFET II
product categoryPower MOSFET
standard package nameSOP
supplier packageSO N
typical fall time (ns)16
typical gate charge @ vgs (nc)22.5@5V
typical input capacitance @ vds (pf)1440@25V
typical rise time (ns)39
typical turn-off delay time (ns)23
typical turn-on delay time (ns)22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль