STP4N52K3, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 525В, 2А, 45Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP4N52K3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 525V 2.5A (Tc) 45W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Основные
вес, г1.95
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 525V 2.5A (Tc) 45W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Основные
вес, г1.95
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
seriesSuperMESH3в„ў ->
base product numberSTP4N52 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)525V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs11nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds334pF @ 100V
power dissipation (max)45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль