STP19NM50N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 500В, 10А, 110Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP19NM50N
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTP19NM50N
время нарастания16 ns
время спада17 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности110 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки14 A
qg - заряд затвора34 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения17 ns
типичное время задержки при включении12 ns
ТипPower MOSFET
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль