STP13NK60ZFP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STP13NK60ZFP
STMicroelectronics
Вес и габариты
вес, г2.58
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220FP, инфо: Транзистор полевой N-канальный 600В 13A N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 250 до 650 В, STMicroelectronics
Вес и габариты
вес, г2.58
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
base product numberSTP13 ->
число контактов3
current - continuous drain (id) @ 25в°c13A (Tc)
длина10.4мм
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs92nC @ 10V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки13 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds2030pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категорияМощный МОП-транзистор
категория продуктаМОП-транзистор
количество элементов на ис1
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеSuperMESH
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток600 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности150 Вт
максимальное сопротивление сток-исток550 мΩ
максимальный непрерывный ток стока13 A
материал транзистораSI
maximum gate threshold voltage4.5V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage3V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
номер каналаПоднятие
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
pd - рассеивание мощности35 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)35W (Tc)
qg - заряд затвора66 nC
размеры10.4 x 4.6 x 9.15мм
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs550mOhm @ 4.5A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesSuperMESHв„ў ->
серияMDmesh, SuperMESH
supplier device packageTO-220FP
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичная входная емкость при vds2030 пФ при 25 В
типичное время задержки при включении22 ns
типичное время задержки включения22 ns
типичное время задержки выключения61 нс
типичный заряд затвора при vgs66 nC @ 10 V
тип каналаN
тип корпусаTO-220
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationОдинарный
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs (max)В±30V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.75 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания14 ns
время спада12 ns
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль