STFU13N80K5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ K5, полевой, 800В, 7,6А, 35Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STFU13N80K5
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г1.66
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
640
+
Бонус: 12.8 !
Бонусная программа
Итого: 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г1.66
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTFU13N80K5
время нарастания16 ns
время спада16 ns
pd - рассеивание мощности35 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки12 A
qg - заряд затвора29 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток370 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения42 ns
типичное время задержки при включении16 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль