STF8N65M5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STF8N65M5
Основные
base product numberSTF8 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Основные
base product numberSTF8 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs15nC @ 10V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки7 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds690pF @ 100V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеMDmesh
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
pd - рассеивание мощности25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)25W (Tc)
qg - заряд затвора15 nC
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesMDmeshв„ў V ->
серияSTF8N65M5
supplier device packageTO-220FP
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки выключения50 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs (max)В±25V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
вид монтажаThrough Hole
время нарастания14 ns
время спада11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль