STF8N65M5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 4,4А, 25Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STF8N65M5
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Основные
вес, г2.45
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Основные
вес, г2.45
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTF8N65M5
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
время нарастания14 ns
время спада11 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў V ->
pd - рассеивание мощности25 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTF8 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки7 A
qg - заряд затвора15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs15nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds690pF @ 100V
power dissipation (max)25W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль