STF28NM50N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 550В, 13А, Idm: 84А, 35Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STF28NM50N
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
580
+
Бонус: 11.6 !
Бонусная программа
Итого: 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
seriesMDmeshв„ў II ->
base product numberSTF28 ->
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:STMicroelectronics
серия:STF28NM50N
тип продукта:MOSFET
торговая марка:STMicroelectronics
размер фабричной упаковки:1000
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-220-3
время нарастания:19 ns
время спада:52 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:MDmesh
technologyMOSFET (Metal Oxide)
pd - рассеивание мощности:35 W
количество каналов:1 Channel
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
технология:Si
конфигурация:Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c21A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs50nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1735pF @ 25V
power dissipation (max)35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs158mOhm @ 10.5A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
id - непрерывный ток утечки:21 A
qg - заряд затвора:50 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:158 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:500 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
канальный режим:Enhancement
полярность транзистора:N-Channel
тип транзистора:1 N-Channel
типичное время задержки выключения:62 ns
типичное время задержки при включении:13.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль