SQ4153EY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -14А, 2,3Вт, SO8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SQ4153EY-T1_GE3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMDМОП-транзистор P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
Основные
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMDМОП-транзистор P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
Основные
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSO-8
серияSQ
время нарастания168 ns
время спада283 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности7.1 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
id - непрерывный ток утечки25 A
qg - заряд затвора151 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток5.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.54 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения310 ns
типичное время задержки при включении31 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль