SQ2351ES-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -1,8А, 2Вт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SQ2351ES-T1_GE3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
Основные
вес, г0.01
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
Основные
вес, г0.01
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveYes
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)175
mountingSurface Mount
part statusObsolete
pcb changed3
standard package nameSOT-23
supplier packageSOT-23
maximum power dissipation (mw)2000
minimum operating temperature (°c)-55
supplier temperature gradeAutomotive
configurationSingle
hts8541.29.00.95
package height1.02(Max)
package length3.04(Max)
package width1.4(Max)
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeP
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)3.2
maximum drain source resistance (mohm)115@4.5V
maximum drain source voltage (v)20
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±12
maximum gate threshold voltage (v)1.5
maximum idss (ua)1
typical fall time (ns)8
typical gate charge @ vgs (nc)3.4@4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)265@10V
typical rise time (ns)18
typical turn-off delay time (ns)19
typical turn-on delay time (ns)20
militaryNo
aec qualified numberAEC-Q101
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль