SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -7,2А, Idm: -30А, 2,7Вт, SO8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4431CDY-T1-GE3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
Основные
вес, г0.16
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance32mО© @ 7A,10V
transistor polarityP Channel
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
Основные
вес, г0.16
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance32mО© @ 7A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage2.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c9A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)4.2W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль