SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2306BDS-T1-E3
SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]
Вес и габариты
вес, г0.1
Основные
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
72
+
Бонус: 1.44 !
Бонусная программа
Итого: 72
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.16A TO-236; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.16 Корпус TO236, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 47 мОм
Вес и габариты
вес, г0.1
Основные
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
рассеиваемая мощность1.25Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.038Ом
стиль корпуса транзистораTO-236
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль