SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SCT20N120AG
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-Channel 1200V 20A (Tc) 153W (Tc) Through Hole HiP247в„ў
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 200В°C (TJ)
4 240
+
Бонус: 84.8 !
Бонусная программа
Итого: 4 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-Channel 1200V 20A (Tc) 153W (Tc) Through Hole HiP247в„ў
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 200В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageHiP247в„ў
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
base product numberSCT20 ->
Вес и габариты
technologySiCFET (Silicon Carbide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c20A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V
drive voltage (max rds on, min rds on)20V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs45nC @ 20V
input capacitance (ciss) (max) @ vds650pF @ 400V
power dissipation (max)153W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs239mOhm @ 10A, 20V
vgs (max)+25V, -10V
vgs(th) (max) @ id3.5V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль