RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 60Вт, TO220AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RFP12N10L
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор TO-220AB N-Ch Power
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1.95 |
| Высота | 9.4 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Основные | |
| число контактов | 3 |
| длина | 10.67мм |
| другие названия товара № | RFP12N10L_NL |
| id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -10 V, +10 V |
| максимальное рассеяние мощности | 60 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 200 мОм |
| максимальный непрерывный ток стока | 12 A |
| материал транзистора | Кремний |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 1V |
| номер канала | Поднятие |
| pd - рассеивание мощности | 60 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| размер фабричной упаковки | 800 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| серия | RFP12N10L |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 900 пФ при 25 В |
| типичное время задержки при включении | 15 ns |
| типичное время задержки включения | 15 нс |
| типичное время задержки выключения | 100 нс |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TO-220AB |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| transistor configuration | Одинарный |
| Тип | MOSFET |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 70 ns |
| время спада | 80 ns |
| Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
