RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RFD12N06RLESM9A
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 60V Single
| Основные | |
| вес, г | 1.5 |
| package / case | TO-252-3 |
| type | MOSFET |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| серия | RFD12N06RLESM |
| длина | 6.73 mm |
| время нарастания | 89 ns, 34 ns |
| время спада | 37 ns, 50 ns |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 2500 |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum operating temperature | +175 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | RFD12N06RLESM |
| subcategory | MOSFETs |
| pd - рассеивание мощности | 49 W |
| другие названия товара № | RFD12N06RLESM9A_NL |
| количество каналов | 1 Channel |
| configuration | Single |
| fall time | 37 ns, 50 ns |
| rise time | 89 ns, 34 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| part # aliases | RFD12N06RLESM9A_NL |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 49 W |
| id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 22 ns, 41 ns |
| типичное время задержки при включении | 13 ns, 5.3 ns |
| channel mode | Enhancement |
| rds on - drain-source resistance | 75 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 16 V |
| id - continuous drain current | 17 A |
| typical turn-on delay time | 13 ns, 5.3 ns |
| typical turn-off delay time | 22 ns, 41 ns |
| transistor type | 1 N-Channel |
| Высота | 2.39 мм |
| Тип | MOSFET |
| Ширина | 6.22 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор 2SD1710 \NPN\100\TO-3PML\](/wa-data/public/shop/products/08/87/188708/images/224451/224451.300x0.jpg "Транзистор 2SD1710 \NPN\100\TO-3PML\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
