PSMN1R0-30YLC,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
The PSMN1R0-30YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications. • Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads• Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance• -55 to 175°C...
Основные
максимальная рабочая температура175 C
количество выводов4вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The PSMN1R0-30YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.
• Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads• Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance• -55 to 175°C Junction temperature range
Основные
максимальная рабочая температура175 C
количество выводов4вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность137Вт
power dissipation137Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораSOT-669
непрерывный ток стока100А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)850мкОм
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs1.41В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance850мкОм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль