РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 200 C
подкатегория	Transistors

5 540 ₽

– +

Бонус: 110.8 !

Бонусная программа

Итого: 5 540 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 200 C
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	95
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	MACOM
упаковка	Tray
упаковка / блок	SOIC-8
чувствительный к влажности	Yes
pd - рассеивание мощности	11.6 W
Вес и габариты
технология	GaN-on-Si
усиление	16 dB
рабочая частота	6 GHz
id - непрерывный ток утечки	1.4 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	HEMT

Отзывов нет

Кнопки