MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 40В, 600А, Idm: 2кА, 830Вт
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMIX1T600N04T2
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 40V 600A
| Основные | |
| вес, г | 5 |
| mounting type | Surface Mount |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 20 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | SMPD-24 |
| серия | MMIX1T600N04 |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| package type | SMPD |
| minimum operating temperature | -55 C |
| width | 23.25mm |
| pin count | 24 |
| maximum operating temperature | +175 C |
| series | GigaMOS, HiperFET |
| pd - рассеивание мощности | 830 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| transistor configuration | Single |
| maximum drain source voltage | 40 V |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| id - непрерывный ток утечки | 600 A |
| qg - заряд затвора | 590 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| maximum continuous drain current | 600 A |
| transistor material | Si |
| maximum gate threshold voltage | 3.5V |
| maximum drain source resistance | 1.3 mΩ |
| channel mode | Enhancement |
| maximum power dissipation | 830 W |
| typical gate charge @ vgs | 590 nC 10 V |
| forward diode voltage | 1.2V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
