MMBFJ270, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -15 мА, 2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBFJ270
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)The MMBFJ270 is a P-channel JFET designed for low level analogue switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. • -30V Drain-gate voltage• 30V Gate-source voltage• 50mA Forward gate current
Основные
вес, г0.02
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов3 Вывода
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)The MMBFJ270 is a P-channel JFET designed for low level analogue switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
• -30V Drain-gate voltage• 30V Gate-source voltage• 50mA Forward gate current
Основные
вес, г0.02
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов3 Вывода
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
тип транзистораJFET
стиль корпуса транзистораSOT-23
мин. ток стока при напряжении = 0 (idss min)-2мА
макс. напряжение откл. затвор-исток vgs(off)
макс. ток стока при напряжении = 0 (idss max)-15мА
gate source breakdown voltage max30В
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль