MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23]
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
Структураp-канал
Корпус
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
P-Channel JFET Transistor Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
Структураp-канал
Корпус
максимальная рассеиваемая мощность, вт0.225
напряжение отсечки (vgs off), в0.8…2.5
напряжение пробоя (v(br)gss), в30
при id, на10
при vds, в (vgs=0)15
рабочая температура (tj), °c-55…+150
сопротивление канала (rds(on)), ом300(max)
ток утечки (idss), ма1.5…20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль