MMBFJ111, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBFJ111
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Основные
вес, г0.02
package / caseSOT-23
typeJFET
minimum operating temperature-55 C
93
+
Бонус: 1.86 !
Бонусная программа
Итого: 93
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Основные
вес, г0.02
package / caseSOT-23
typeJFET
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryJFET
seriesMMBFJ111
configurationSingle
operating temperature range-55 C to+150 C
Вес и габариты
part # aliasesMMBFJ111_NL
pd - power dissipation350 mW
rds on - drain-source resistance30 Ohms
transistor polarityN-Channel
gate-source cutoff voltage-10 V
drain-source current at vgs=05 mA
vgs - gate-source breakdown voltage-35 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль