J175-D26Z, Полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -60 мА [TO-92]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: J175-D26Z
J175-D26Z, Полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -60 мА [TO-92]
Вес и габариты
вес, г0.379
Информация о производителе
Структураp-канал
Корпус
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
вес, г0.379
Информация о производителе
Структураp-канал
Корпус
максимальная рассеиваемая мощность, вт0.35
напряжение отсечки (vgs off), в3…6
напряжение пробоя (v(br)gss), в30
при id, на10
при vds, в (vgs=0)15
рабочая температура (tj), °c-55…+150
сопротивление канала (rds(on)), ом125(max)
ток утечки (idss), ма7…60
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль