IXTX210P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -210А, 1040Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTX210P10T
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THTP-Channel 100V 210A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
6 160
+
Бонус: 123.2 !
Бонусная программа
Итого: 6 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THTP-Channel 100V 210A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePLUS247в„ў-3
california prop 65Warning Information
seriesTrenchPв„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c210A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs740nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds69500pF @ 25V
power dissipation (max)1040W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs7.5mOhm @ 105A, 10V
vgs (max)В±15V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль