IXTQ64N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 64А, 400Вт, TO3P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTQ64N25P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Основные
вес, г5.3
factory pack quantity: factory pack quantity:30
manufacturer:IXYS
maximum operating temperature:+150 C
1 130
+
Бонус: 22.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Основные
вес, г5.3
factory pack quantity: factory pack quantity:30
manufacturer:IXYS
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:IXTQ64N25
subcategory:MOSFETs
packaging:Tube
Вес и габариты
package/case:TO-3P-3
pd - power dissipation:400 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:64 A
qg - gate charge:105 nC
rds on - drain-source resistance:49 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:250 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2.5 V
typical turn-off delay time:60 ns
typical turn-on delay time:21 ns
forward transconductance - min:30 S
fall time:20 ns
rise time:23 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль