IXTQ60N20T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 500Вт; TO3P; 118нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTQ60N20T
IXTQ60N20T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 500Вт; TO3P; 118нс
Вес и габариты
вес, г5.295
Основные
configurationSingle
factory pack quantity30
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
вес, г5.295
Основные
configurationSingle
factory pack quantity30
fall time22 ns
id - continuous drain current60 A
manufacturerIXYS
maximum operating temperature+175 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-3P
packagingTube
pd - power dissipation500 W
productPower MOSFET Modules
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance40 mOhms
rise time13 ns
subcategoryMOSFETs
tradenameTrench
transistor polarityN-Channel
typeTrench
typical turn-off delay time33 ns
typical turn-on delay time22 ns
vds - drain-source breakdown voltage200 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs th - gate-source threshold voltage3 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль