IXTQ30N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO3P, 500нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTQ30N60P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600V 30A (Tc) 540W (Tc) сквозное отверстие TO-3P
Основные
вес, г5.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 950
+
Бонус: 39 !
Бонусная программа
Итого: 1 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600V 30A (Tc) 540W (Tc) сквозное отверстие TO-3P
Основные
вес, г5.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3P
california prop 65Warning Information
seriesPolarHVв„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs82nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds5050pF @ 25V
power dissipation (max)540W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs240mOhm @ 15A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль