IXTQ26P20P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -26А, 300Вт, ТО3Р

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTQ26P20P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THTМОП-транзистор -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Основные
вес, г5.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
1 290
+
Бонус: 25.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THTМОП-транзистор -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Основные
вес, г5.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
серияIXTQ26P20
длина15.8 mm
время нарастания33 ns
время спада21 ns
pd - рассеивание мощности300 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки26 A
qg - заряд затвора56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения46 ns
типичное время задержки при включении18 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль