IXTQ22N60P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 600В, 22А, 400Вт, TО3Р

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTQ22N60P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 250
+
Бонус: 25 !
Бонусная программа
Итого: 1 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXTQ22N60
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3P
длина15.8 mm
время нарастания20 ns
время спада23 ns
california prop 65Warning Information
seriesPolarHVв„ў ->
pd - рассеивание мощности400 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки22 A
qg - заряд затвора62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток350 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.21 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения60 ns
типичное время задержки при включении20 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c22A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs62nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds3600pF @ 25V
power dissipation (max)400W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs350mOhm @ 11A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5.5V @ 250ВµA
Высота 20.3 мм
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль