IXTP70N075T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 70А, 150Вт, TO220-3, 48нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTP70N075T2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Основные
вес, г3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Основные
вес, г3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXTP70N075
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
длина10.66 mm
время нарастания28 ns
время спада22 ns
california prop 65Warning Information
seriesTrenchT2в„ў ->
pd - рассеивание мощности150 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки70 A
rds вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения31 ns
типичное время задержки при включении15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c70A (Tc)
drain to source voltage (vdss)75V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs46nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2725pF @ 25V
power dissipation (max)150W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs12mOhm @ 25A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Высота 9.15 мм
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль