IXTP18P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, TO220AB

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THTМОП-транзистор 18 Amps 100V 0.12 Rds

Подробное описание

Основные
вес, г	3
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

450 ₽

– +

Бонус: 9 !

Бонусная программа

Итого: 450 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	3
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	IXTP18P10
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220AB
длина	10.66 mm
время нарастания	26 ns
время спада	22 ns
california prop 65	Warning Information
коммерческое обозначение	TrenchP
series	TrenchPв„ў ->
pd - рассеивание мощности	83 W
Вес и габариты
технология	Si
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	18 A
qg - заряд затвора	39 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	120 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	15 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	8 S
полярность транзистора	P-Channel
типичное время задержки выключения	44 ns
типичное время задержки при включении	19 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	18A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	100V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	39nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	2100pF @ 25V
power dissipation (max)	83W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	120mOhm @ 9A, 10V
vgs (max)	В±15V
vgs(th) (max) @ id	4.5V @ 250ВµA
Высота	16 мм
Тип	TrenchP Power MOSFET
Ширина	4.83 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки