IXTP12N50P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTP12N50P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 500V 12A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2.04
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
710
+
Бонус: 14.2 !
Бонусная программа
Итого: 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 500V 12A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2.04
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
california prop 65Warning Information
seriesPolarв„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c12A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs29nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1830pF @ 25V
power dissipation (max)200W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs500mOhm @ 6A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль