IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,8А, 42Вт, TO220-3, 750нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTP08N100P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Основные
вес, г3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
510
+
Бонус: 10.2 !
Бонусная программа
Итого: 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Основные
вес, г3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияIXTP08N100
длина10.66 mm
время нарастания37 ns
время спада34 ns
pd - рассеивание мощности42 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки800 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток20 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
vgs - напряжение затвор-исток20 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения35 ns
типичное время задержки при включении19 ns
Высота 9.15 мм
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль