IXTH6N50D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 6А, 300Вт, TO247-3, 64нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTH6N50D2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 6A
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 760
+
Бонус: 35.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 6A
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXTH6N50
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 (IXTH)
время нарастания72 ns
время спада43 ns
california prop 65Warning Information
pd - рассеивание мощности300 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки6 A
qg - заряд затвора96 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимDepletion
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения82 ns
типичное время задержки при включении28 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c6A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs96nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2800pF @ 25V
power dissipation (max)300W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs500mOhm @ 3A, 0V
vgs (max)В±20V
fet featureDepletion Mode
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль