IXTH1N170DHV, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,7кВ, 1А, 290Вт, TO247HV, 30нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTH1N170DHV
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
3 530
+
Бонус: 70.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковка / блокTO-247-3
время нарастания38 ns
время спада216 ns
pd - рассеивание мощности290 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки1 A
qg - заряд затвора47 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток16 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток1.7 kV
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимDepletion
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения130 ns
типичное время задержки при включении46 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль