IXTH16N20D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 16А, 695Вт, TO247-3, 607нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTH16N20D2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-CH 200V 16A МОП-транзистор
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
3 750
+
Бонус: 75 !
Бонусная программа
Итого: 3 750
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-CH 200V 16A МОП-транзистор
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXTH16N20D2
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 (IXTH)
длина16.26 mm
время нарастания130 ns
время спада135 ns
california prop 65Warning Information
pd - рассеивание мощности695 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки16 A
qg - заряд затвора208 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
канальный режимDepletion
крутизна характеристики прямой передачи - мин.7 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения270 ns
типичное время задержки при включении46 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c16A (Tc)
drain to source voltage (vdss)200V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs208nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds5500pF @ 25V
power dissipation (max)695W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs73mOhm @ 8A, 0V
vgs (max)В±20V
fet featureDepletion Mode
Высота 21.46 мм
ТипDepletion Mode MOSFET
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль