IXTH16N10D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 16А, 830Вт, TO247-3, 940нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTH16N10D2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 100V 16A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-247 (IXTH)
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
3 740
+
Бонус: 74.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 100V 16A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-247 (IXTH)
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 (IXTH)
california prop 65Warning Information
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c16A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)0V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs225nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds5700pF @ 25V
power dissipation (max)830W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs64mOhm @ 8A, 0V
vgs (max)В±20V
fet featureDepletion Mode
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль