IXTH110N25T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 110А, 694Вт, TO247-3, 170нс
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTH110N25T
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
N-канальный силовой МОП-транзистор Trench-Gate, IXYS
| Основные | |
| вес, г | 6 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Монтаж на плату в отверстия |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | Trench |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-247 (IXTH) |
| длина | 16.26 mm |
| время нарастания | 27 ns |
| время спада | 27 ns |
| california prop 65 | Warning Information |
| length | 16.26mm |
| package type | TO-247 |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| width | 5.3мм |
| pin count | 3 |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| pd - рассеивание мощности | 694 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| maximum drain source voltage | 250 V |
| maximum gate source voltage | -20 В, +20 В |
| id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 60 ns |
| типичное время задержки при включении | 19 ns |
| maximum continuous drain current | 110 А |
| maximum gate threshold voltage | 5V |
| maximum drain source resistance | 24 mΩ |
| channel mode | Поднятие |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 110A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 250V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 157nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 9400pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 694W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 24mOhm @ 55A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 1mA |
| minimum gate threshold voltage | 3V |
| maximum power dissipation | 694 W |
| typical gate charge @ vgs | 157 nC @ 10 V |
| forward diode voltage | 1.2V |
| Высота | 21.46 мм |
| Ширина | 5.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/25/28/192825/images/227502/227502.300x0.jpg "IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
