IXFX180N15P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 180А, 830Вт, PLUS247™

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFX180N15P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-Channel 150V 180A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
3 480
+
Бонус: 69.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-Channel 150V 180A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePLUS247в„ў-3
california prop 65Warning Information
seriesHiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c180A (Tc)
drain to source voltage (vdss)150V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs240nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds7000pF @ 25V
power dissipation (max)830W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs11mOhm @ 90A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id5V @ 4mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль